Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET-tranzisztor

  MOSFET-tranzisztor  (20 850 ajánlat 4 145 199 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET-tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET-tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 100 V, 8-tüskés, TSDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TSDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma c...
Infineon
BSZ0803LSATMA1
kezdő: HUF 902 567,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO247-3 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 13,8A Ellenállás vezetési állapotban: 0,28Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
Infineon
IPW65R280C6FKSA1
kezdő: HUF 598,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 460 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L (1 ajánlat) 
A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK 8 x 8L tokozású.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony, 1.6 mm-e...
Vishay
SQJQ142E-T1_GE3
kezdő: HUF 490,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 1,21A; Idm: 8A; 44W; TO251 (1 ajánlat) 
Gyártó: BRIDGELUX Szerelés: THT Tokozás: TO251 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 1,21A Ellenállás vezetési állapotban: 5Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 44W Polaritás: ...
Bridgelux
BXP2N65U
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E-Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SIHB5N80AE-GE3
kezdő: HUF 349,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 60V; 80A; 242W; D2PAK (1 ajánlat) 
Gyártó: ONSEMI Szerelés: SMD Tokozás: D2PAK Drén - forrás feszültség: 60V Drén áram: 80A Ellenállás vezetési állapotban: 12,6mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 242W Polaritás: e...
onsemi
FDB5800
kezdő: HUF 689,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN067N Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTH4LN067N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenál...
onsemi
NTH4LN067N65S3H
kezdő: HUF 1 962,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Újraéledési idő: 0,35µs Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 20A Ellenállás vezetési állapotban: 0,185Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény el...
IXYS
IXTP20N65X2
kezdő: HUF 918,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = ...
ROHM Semiconductor
SCT4036KW7TL
kezdő: HUF 3 895,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 464 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS0D5N Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 464 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Kiváló hővezetési és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x6 mm) Rendkívül a...
onsemi
NTMFS0D5N03CT1G
kezdő: HUF 1 135,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 10,6A; 83W; PG-TO252-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Tokozás: PG-TO252-3 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 10,6A Ellenállás vezetési állapotban: 0,38Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
Infineon
IPD65R380E6BTMA1
kezdő: HUF 314,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E-Series (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektí...
Vishay
SIHP5N80AE-GE3
kezdő: HUF 323,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 8-tüskés, H-PSOF8L SUPERFET III Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NTBL082N65S3HF
kezdő: HUF 1 473,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 0,35µs Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 20A Ellenállás vezetési állapotban: 0,21Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elo...
IXYS
IXTH20N65X
kezdő: HUF 2 125,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PG-TSDSON-8 FL (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PG-TSDSON-8 FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód...
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1
kezdő: HUF 280,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   761   762   763   764   765   766   767   768   769   770   771   ..   1390   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.