Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET-tranzisztor

  MOSFET-tranzisztor  (20 870 ajánlat 4 275 449 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET-tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET-tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO247-3 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 30A Ellenállás vezetési állapotban: 70mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
Infineon
SPW47N65C3FKSA1
kezdő: HUF 6 148,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IPP65R225C7XKSA1
kezdő: HUF 679,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 0,35µs Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 20A Ellenállás vezetési állapotban: 0,21Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elo...
IXYS
IXTH20N65X
kezdő: HUF 2 143,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 4 197,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 11,4A; 104,2W; PG-TO262-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO262-3 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 11,4A Ellenállás vezetési állapotban: 0,31Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
Infineon
IPI65R310CFDXKSA1
kezdő: HUF 454,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 4 594,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO220AB (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 26A Ellenállás vezetési állapotban: 0,13Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 460W Polaritás: e...
IXYS
IXFP26N65X2
kezdő: HUF 2 033,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF (2 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 369,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO220-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO220-3 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 31,2A Ellenállás vezetési állapotban: 0,11Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
Infineon
IPP65R110CFDXKSA1
kezdő: HUF 1 184,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41.9 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMFS022N15MC
kezdő: HUF 575,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 22,4A; 34,7W; TO220FP (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO220FP Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 22,4A Ellenállás vezetési állapotban: 0,15Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
Infineon
IPA65R150CFDXKSA1
kezdő: HUF 1 181,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...
Infineon
IMBG65R048M1HXTMA1
kezdő: HUF 2 857,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPB65R310CFD tranzisztor 600 V (1 ajánlat)
Infineon
IPB65R310CFDATMA1
kezdő: HUF 454,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...
Infineon
IMBG65R048M1HXTMA1
kezdő: HUF 2 192 465,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB (1 ajánlat) 
Gyártó: YANGJIE TECHNOLOGY Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 2A Ellenállás vezetési állapotban: 4,7Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 54W P...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CZ
kezdő: HUF 43,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   761   762   763   764   765   766   767   768   769   770   771   ..   1392   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.