MOSFET a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (274/1 406 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

BSC100N06LS3GATMA1

kezdő: HUF 832 773,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 30 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, SQ Robusztus sorozat, Vishay Semiconductor

Vishay

SQM50P03-07_GE3

kezdő: HUF 3 147,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,7 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs 60 V-os P-csatornás MOSFET MOSFET-et az RDS(BE) minimalizálására és a kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartására tervezték. Ez az eszköz ideális a notebook akkumulátorainak e...

Diodes

DMP6050SPS-13

kezdő: HUF 3 083,80*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 560 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NTR4003NT1G

kezdő: HUF 15,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFH50N60P3

kezdő: HUF 2 522,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Taiwan Semiconductor

TSM230N06CP ROG

kezdő: HUF 1 912,50*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,8 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN3051L-7

kezdő: HUF 43,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFP3710PBF

kezdő: HUF 667,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 500 A, 75 V, 24-tüskés, SMPD GigaMOS, HiperFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

IXYS

MMIX1F520N075T2

kezdő: HUF 6 166,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFZ40PBF

kezdő: HUF 672,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 30 V, 8-tüskés, SOP Egyszeres (1 ajánlat)

Kapcsolásifeszültség-szabályozók DC-DC átalakítók Nagysebességű kapcsolás Kis kaputöltés: QSW = 4,3 nC (jell.) Alacsony fogyasztó-forrási ellenállás: RDS(ON) = 6,8 mΩ (jell.) (VGS = 4,5 V esetén) A...

Toshiba

TPH6R003NL

kezdő: HUF 214 206,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 500 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...

Diodes

DMN31D5L-7

kezdő: HUF 3 216,60*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220FP STripFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STP55NF06FP

kezdő: HUF 17 285,90*
50 db-ként