MOSFET a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (279/1 404 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 710 V, 3-tüskés, TO-3PF MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STFW69N65M5

kezdő: HUF 3 284,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

BSC123N08NS3 G

kezdő: HUF 738,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDY302NZ

kezdő: HUF 28,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,2 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW8NK80Z

kezdő: HUF 426,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI2333DDS-T1-GE3

kezdő: HUF 41,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 55.5 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

Vishay

SISS30LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 2 225,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1302DL-T1-E3

kezdő: HUF 426,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,4 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP4A16GTA

kezdő: HUF 165 308,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 12 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDC606P

kezdő: HUF 124,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 560 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NTR4003NT3G

kezdő: HUF 82,43*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4206ASTZ

kezdő: HUF 216 716,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,5 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STF8NK100Z

kezdő: HUF 36 328,40*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI3433CDV-T1-GE3

kezdő: HUF 70,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRF3710SPBF

kezdő: HUF 159,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZVN4206AV

kezdő: HUF 154,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 .. 1404 előre

MOSFET (21 049 ajánlat 4 253 149 cikkből)

"MOSFET"