Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (20 871 ajánlat 4 275 897 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 280 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
NDS7002A
kezdő: HUF 18,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 22A; Idm: 104,7A; 312W; TO3PN (1 ajánlat) 
Gyártó: ONSEMI Szerelés: THT Tokozás: TO3PN Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 22A Ellenállás vezetési állapotban: 95mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 312W Polaritás: eg...
onsemi
FCA36N60NF
kezdő: HUF 2 142,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 90 V, 3-tüskés, TO-92 VP0109 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 250 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Sorozat = VP0109 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Microchip Technology
VP0109N3-G
kezdő: HUF 311,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Tokozás: PG-TO263-3 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 21A Ellenállás vezetési állapotban: 0,165Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény eloszt...
Infineon
IPB60R165CPATMA1
kezdő: HUF 1 468,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 267 A, 100 V, 8-tüskés, TDFNW8 NTMTS Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 267 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = NTMTS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásell...
onsemi
NTMTSC1D6N10MCTXG
kezdő: HUF 1 285,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPN60R2K1CEATMA1
kezdő: HUF 86,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 288 A, 60 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 288 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = ISC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellená...
Infineon
ISZ034N06LM5ATMA1
kezdő: HUF 417,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO263 Újraéledési idő: 0,5µs Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 14A Ellenállás vezetési állapotban: 0,55Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXTA14N60P
kezdő: HUF 904,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 288 A, 60 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 288 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = ISC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellená...
Infineon
ISZ034N06LM5ATMA1
kezdő: HUF 1 339 437,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO220-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO220-3 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 23,8A Ellenállás vezetési állapotban: 0,16Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
Infineon
IPP60R160C6XKSA1
kezdő: HUF 715,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 253 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 253 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE008N03LM5CGATMA1
kezdő: HUF 613,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; D3PAK (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: SMD Tokozás: D3PAK Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 21A Ellenállás vezetési állapotban: 0,29Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 30...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6029SLLG
kezdő: HUF 5 254,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 268 A, 40 V, 5-tüskés, DFN NVMFS5C Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 268 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = NVMFS5C Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásel...
onsemi
NVMFS5C420NT1G
kezdő: HUF 667,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 2,5A; Idm: 16A; 70W; IPAK (1 ajánlat) 
Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: THT Tokozás: IPAK Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 2,5A Ellenállás vezetési állapotban: 2Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 70W Pola...
ST Microelectronics
STD4NK60Z-1
kezdő: HUF 106,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
kezdő: HUF 717,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   671   672   673   674   675   676   677   678   679   680   681   ..   1392   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.