Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 081 ajánlat 4 317 765 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIRS5100DP-T1-GE3
kezdő: HUF 2 592 661,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 Újraéledési idő: 78ns Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 360A Ellenállás vezetési állapotban: 2,4mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXTT360N055T2
kezdő: HUF 2 882,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP125N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTP125N65S3H
kezdő: HUF 1 436,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: THT Tokozás: TO220-3 Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 80A Ellenállás vezetési állapotban: 8mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 300W P...
ST Microelectronics
STP80NF55-08
kezdő: HUF 633,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IMW120R007M1HXKSA1
kezdő: HUF 20 737,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 0,8A; 45W; TO252 (1 ajánlat) 
Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: SMD Tokozás: TO252 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 0,8A Ellenállás vezetési állapotban: 9Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD1N60
kezdő: HUF 82,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként...
Infineon
IMZA120R007M1HXKSA1
kezdő: HUF 4 937 332,5216*
240 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 (1 ajánlat) 
Gyártó: NTE Electronics Szerelés: THT Tokozás: TO220 Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 37A Ellenállás vezetési állapotban: 16Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 107W Polari...
NTE Electronics
NTE2975
kezdő: HUF 1 134,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R083M1HXKSA1
kezdő: HUF 2 230,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 230 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek
Infineon
BSS138NH6327
kezdő: HUF 56 137,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Újraéledési idő: 37ns Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 90A Ellenállás vezetési állapotban: 8,4mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXTP90N055T2
kezdő: HUF 471,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 226 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 40 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 226 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = P-Channel 40 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő f...
Vishay
SQJQ141EL-T1_GE3
kezdő: HUF 711,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 0,9A; 41,7W; TO220 (1 ajánlat) 
Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO220 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 0,9A Ellenállás vezetési állapotban: 9Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT1N60
kezdő: HUF 108,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 226 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L P-Channel 40 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJQ141EL-T1_GE3
kezdő: HUF 608,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 42A; 110W; DPAK (1 ajánlat) 
Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: SMD Tokozás: DPAK Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 42A Ellenállás vezetési állapotban: 17mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 110W Pol...
ST Microelectronics
STD60NF55LT4
kezdő: HUF 211,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   671   672   673   674   675   676   677   678   679   680   681   ..   1406   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.