Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (12 987 ajánlat 4 214 607 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS1D7N Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 170 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Javítja a pillanatnyi felügyeletet és javítja a rendszer hatékonyságát.Alacsony RDS(be) a ...
onsemi
NTMFS1D7N03CGT1G
kezdő: HUF 383,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzusban: 1,2kA Teljesítmény...
IXYS
IXXN200N65A4
kezdő: HUF 7 545,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 267 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS1D Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 60V-os teljesítmény MOSFET 267A leeresztő áram egyetlen N−csatorna. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket.Alacsony ...
onsemi
NTBGS1D5N06C
kezdő: HUF 1 703,00*
db-ként
 
 db
Modul; dióda/tranzisztor; 600V; 72A; SP4; FASTON csatlakozás; 416W (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SP4 Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 72A Ellenállás vezetési állapotban: 35mΩ Teljesítmény elosztás: 416W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC60AM35SCTG
kezdő: HUF 50 012,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 110 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET-einek International Rectifier-es kialakítása Advanced feldolgozási technikákat alkalmaz a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás elérése érdekében. Ez az e...
Infineon
IRFR3910TRLPBF
kezdő: HUF 145,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 150V; 220A; SOT227B; csavarható; 600W (1 ajánlat) 
Gyártó: DACO Semiconductor Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 150V Drén áram: 220A Ellenállás vezetési állapotban: 3,2mΩ Teljesítmény elosztás: 600W...
DACO Semiconductor
DAMI360N150
kezdő: HUF 12 534,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (2 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET sorozat 30V maximális leeresztési forrás feszültség EGY SO-8 csomag. Ez birtokol alkalmazás, mint szinkron MOSFET notebook processzor teljesítmény és szinkron ...
Infineon
IRF8734TRPBF
kezdő: HUF 119,00*
db-ként
 
 csomagok
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 160A Kollektoráram az impulzusban: 1kA Teljesítmény ...
IXYS
IXXN200N60B3
kezdő: HUF 10 969,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 171 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK Infineon-kialakítása a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony szilíciumtérenkénti ellenállás eléréséhez. Ez az előny a HEXFET teljesítmény MOSFET-E...
Infineon
AUIRFP4568
kezdő: HUF 2 735,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor,közös emitter; IGBT x2 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor;közös emitter Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 300A Kollektorá...
Infineon
FF300R12KT3EHOSA1
kezdő: HUF 60 644,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) 600V CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat) 
Infineon 600V CoolMOS™ CE sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. A CoolMOS™ CE sorozat a gyors kapcsolású Superjunction MOSFET összes előnyét kínálja, miközben nem feláldozza az egyszerű használ...
Infineon
IPU60R2K1CEAKMA1
kezdő: HUF 108,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; -500V; -40A; SOT227B; csavarható; 890W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 477ns Drén - forrás feszültség: -500V Drén áram: -40A Ellenállás vezetési állapotban: 0,23Ω Teljesítmény elos...
IXYS
IXTN40P50P
kezdő: HUF 10 052,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS2D Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 60V teljesítmény MOSFET használt 169 A leeresztő áram egyetlen N−csatorna. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket.Al...
onsemi
NTBGS2D5N06C
kezdő: HUF 1 720,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 150V; 310A; SOT227B; csavarható; 1070W (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 150ns Drén - forrás feszültség: 150V Drén áram: 310A Ellenállás vezetési állapotban: 4mΩ Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXFN360N15T2
kezdő: HUF 15 158,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...
ROHM Semiconductor
SCT3120AW7TL
kezdő: HUF 2 278,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   ..   866   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.