Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (13 041 ajánlat 4 361 957 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Modul; szimpla tranzisztor; 1kV; 27A; SOT227B; csavarható; Idm: 75A (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 27A Ellenállás vezetési állapotban: 0,32Ω Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXFN32N100P
kezdő: HUF 10 611,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS1D7N Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 170 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Javítja a pillanatnyi felügyeletet és javítja a rendszer hatékonyságát.Alacsony RDS(be) a ...
onsemi
NTMFS1D7N03CGT1G
kezdő: HUF 384,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,7kV (2 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzu...
Infineon
FF200R17KE4HOSA1
kezdő: HUF 47 197,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 110 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET-einek International Rectifier-es kialakítása Advanced feldolgozási technikákat alkalmaz a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás elérése érdekében. Ez az e...
Infineon
IRFR3910TRLPBF
kezdő: HUF 145,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 1kV; 28A; SOT227B; csavarható; Idm: 96A (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 28A Ellenállás vezetési állapotban: 0,32Ω Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXFN32N100Q3
kezdő: HUF 20 627,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 50 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK Infineon-kialakítása a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony szilíciumtérenkénti ellenállás eléréséhez. Ez az előny a HEXFET teljesítmény MOSFET-E...
Infineon
AUIRF7103QTR
kezdő: HUF 358,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 1,2kV; 23A; SOT227B; csavarható; 695W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 23A Ellenállás vezetési állapotban: 0,5Ω Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXFN26N120P
kezdő: HUF 17 507,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 600 V, 8-tüskés, TO-LL-HV STP50N60DM6 Si (2 ajánlat) 
A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET az MDmesh DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony h...
ST Microelectronics
STP50N60DM6
kezdő: HUF 1 156,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 1kV; 36A; SOT227B; csavarható; 694W (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 180ns Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 36A Ellenállás vezetési állapotban: 0,24Ω Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXFN36N100
kezdő: HUF 22 279,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 171 A, 150 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK Infineon-kialakítása a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony szilíciumtérenkénti ellenállás eléréséhez. Ez az előny a HEXFET teljesítmény MOSFET-E...
Infineon
AUIRFP4568
kezdő: HUF 2 726,00*
db-ként
 
 db
Modul; dióda/tranzisztor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; 165nC (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: V1-B-Pack Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 50A Ellenállás vezetési állapotban: 0,12Ω Teljesítmény elosztás: 500W Polaritás: egy...
IXYS
VUM33-06PH
kezdő: HUF 20 150,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 160 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247 HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...
Infineon
IRFP1405PBF
kezdő: HUF 668,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 200V; 100A; SOT227B; csavarható; 735W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 420ns Drén - forrás feszültség: 200V Drén áram: 100A Ellenállás vezetési állapotban: 24mΩ Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXTN110N20L2
kezdő: HUF 15 939,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPN80R2K0P7 tranzisztor 800 V (1 ajánlat)
Infineon
IPN80R2K0P7ATMA1
kezdő: HUF 329 106,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
Modul; szimpla tranzisztor; 1,2kV; 26A; SOT227B; csavarható; 200W (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 26A Ellenállás vezetési állapotban: 0,1Ω Teljesítmény elosztás: 20...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120J
kezdő: HUF 10 077,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   870   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.