Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  > Tranzisztor

  Tranzisztor  (7 546 ajánlat 4 244 336 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Infineon F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT, 310 A, 950 V, EasyPACK modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 310 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 950 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW Csomag típusa = Easy...
Infineon
SP005434947
kezdő: HUF 78 796,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 30A Kollektoráram az impulzusban: 146A Kapcsolási idő: 65ns Kikapcsolá...
IXYS
IXXH30N65B4D1
kezdő: HUF 1 659,00*
db-ként
 
 db
Infineon DDB6U134N16RRBPSA1 IGBT, AG-ECONO2B-211 (1 ajánlat) 
Csomag típusa = AG-ECONO2B-211
Infineon
DDB6U134N16RRBPSA1
kezdő: HUF 29 161,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 70A; 961W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 70A Kollektoráram az impulzusban: 280A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT70GR120L
kezdő: HUF 5 154,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090DDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCD57090DDWR2G
kezdő: HUF 608,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 100A Kapcsolási id...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GR120BD15
kezdő: HUF 2 699,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCV57080BDR2G
kezdő: HUF 675,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 250A Kapcsolási idő: 56ns Kikapcsolá...
IXYS
IXYH50N65C3H1
kezdő: HUF 2 480,00*
db-ként
 
 db
Infineon F475R06W1E3BOMA1 IGBT-modul, 100 A, 600 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 100 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Tranzisztorok száma = 4 Kiosztás = Emitter-kollektor, négysz...
Infineon
F475R06W1E3BOMA1
kezdő: HUF 12 759,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 225A Kapcsolási idő: 61ns Kikapcsolá...
IXYS
IXXH40N65B4H1
kezdő: HUF 2 962,00*
db-ként
 
 db
Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT-modul, 69 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 69 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 335 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
kezdő: HUF 11 821,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,6kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 200A Kapcsolási idő: 283ns Kikapcso...
IXYS
IXGH25N160
kezdő: HUF 3 966,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57201DR2G, 1,9 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 1,9 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 8ns
onsemi
NCD57201DR2G
kezdő: HUF 331,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 160A Kapcsolási id...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GR120B
kezdő: HUF 2 889,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCV57090BDWR2G
kezdő: HUF 709,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   301   302   303   304   305   306   307   308   309   310   311   ..   504   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.