Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > Tranzisztor

  Tranzisztor  (7 720 ajánlat 4 362 807 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Alárendelt fogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 43A Kollektoráram az impulzusban: 129A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT43GA90B
kezdő: HUF 2 481,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP35R12N2T7B11BPSA1 IGBT N-csatornás, 35 A, 1200 V, 23-tüskés, Modul 7 3 fázisú (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 35 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 7 Kiosztás = 3 fázisú Rögzítés típusa = ...
Infineon
FP35R12N2T7B11BPSA1
kezdő: HUF 313 967,60*
10 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: SMD Tokozás: D3PAK kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 80A Kollektoráram az impulzusban: 239A Kapcsolási idő: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GA90S
kezdő: HUF 4 690,00*
db-ként
 
 db
Infineon FZ2400R33HE4BPSA1 IGBT-modul, 2,4 kA, 3300 V, AG-IHVB190 3 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 2,4 kA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 3300 V Tranzisztorok száma = 3 Kiosztás = Egyszeres
Infineon
FZ2400R33HE4BPSA1
kezdő: HUF 684 193,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 330A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GP60B2G
kezdő: HUF 9 027,00*
db-ként
 
 db
Infineon IKW15N120BH6XKSA1 IGBT, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
A Infineon hatodik generációs szigetelt kapus bipoláris tranzisztor nagy sebességű lágy kapcsolási sorozat.Nagy hatékonyság Alacsony kapcsolási veszteségek Nagyobb megbízhatóság Alacsony elektromág...
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
kezdő: HUF 745,00*
db-ként
 
 db
Infineon IHW30N135R5XKSA1 IGBT N-csatornás, 30 A, 1350 V, 3-tüskés, TO-247 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1350 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247 Csatorna típusa ...
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
kezdő: HUF 866,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 64A Kollektoráram az impulzusban: 193A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT64GA90B
kezdő: HUF 3 393,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP35R12W2T4PB11BPSA1 IGBT-modul N-csatornás, 35 A, 1200 V, EASY2B 7 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 35 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Tranzisztorok száma = 7 Csomag típusa = EASY2B Csatorna típusa = N
Infineon
FP35R12W2T4PB11BPSA1
kezdő: HUF 19 341,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 40A; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: BASiC SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Tranzisztor típusa: IGBT Fajta csomagolás: tubus F...
BASiC SEMICONDUCTOR
BGH40N120HF
kezdő: HUF 2 463,00*
db-ként
 
 db
Infineon FZ600R17KE4HOSA1 IGBT-modul, 840 A, 1700 V 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 840 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1700 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 1
Infineon
FZ600R17KE4HOSA1
kezdő: HUF 71 545,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 36A Kollektoráram az impulzusban: 109A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT36GA60B
kezdő: HUF 1 734,00*
db-ként
 
 db
Infineon IKW20N60TFKSA1 IGBT, 41 A, 600 V, 3-tüskés, PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
A Infineon alacsony veszteségű duopack szigetelt-kapu bipoláris tranzisztor trenchstop és fieldstop technológia.Nagy hatékonyság Alacsony kapcsolási veszteségek Nagyobb megbízhatóság Alacsony elekt...
Infineon
IKW20N60TFKSA1
kezdő: HUF 880,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 32A Kollektoráram az impulzusban: 200A Kapcsolási idő: 90ns Kikapcsolás...
IXYS
IXGT32N170
kezdő: HUF 6 469,00*
db-ként
 
 db
Infineon IHW30N65R5XKSA1 IGBT, 60 A, 650 V, 3-tüskés, PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
A Infineon rezonáns kapcsolási sorozat fordított vezető szigetelt kapu bipoláris tranzisztor monolitikus test dióda.Nagy hatékonyság Alacsony kapcsolási veszteségek Nagyobb megbízhatóság Alacsony e...
Infineon
IHW30N65R5XKSA1
kezdő: HUF 687,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   301   302   303   304   305   306   307   308   309   310   311   ..   515   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.