A ON Semiconductor átviteli öntött teljesítménymodul, amely hat 35 Amper és 1600 volt egyenirányítóból, hat 35 Amper és 1200 volt IGBT diódákkal, egy 35 Amper és 1200 volt IGBT fékdiódával és egy N...
Maximális folyamatos kollektoráram = 303 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1000 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 592 W Csomag típusa = Q2P...
Maximális folyamatos kollektoráram = 101 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1000 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 2
Maximális folyamatos kollektoráram = 409 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1000 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 4
Az NXH100B120H3Q0 egy olyan teljesítménymodul, amely kettős feszültségnövelő fázisból álló 50A/1200 V IGBT-ket, két 20A/1200 V SiC diódákat, valamint két 25 A/1600 V nem párhuzamos diódákat tartalm...
Az NXH100B120H3Q0 egy olyan teljesítménymodul, amely kettős feszültségnövelő fázisból álló 50A/1200 V IGBT-ket, két 20A/1200 V SiC diódákat, valamint két 25 A/1600 V nem párhuzamos diódákat tartalm...
Maximális folyamatos kollektoráram = 73 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1000 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 6