Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 635 ajánlat 4 316 090 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
IGBT meghajtó modul NCD57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57080BDR2G
kezdő: HUF 1 224,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper,3 fázisú dióda hid (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 1 Teljesítmény: 4kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Alkalmazás: UPS...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB126V1 25230010
kezdő: HUF 11 129,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul 2EDN7424FXTMA1 TTL, 4 A, 22V, 8-tüskés, PG-DSO-8-60 (1 ajánlat) 
Logikai típus = TTL Kimeneti áramerősség = 4 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = PG-DSO-8-60ns
Infineon
2EDN7424FXTMA1
kezdő: HUF 260,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,7kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 248A Kollektoráram az impulzusban: 1170...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAR17E4 22895140
kezdő: HUF 49 144,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCD57090CDWR2G
kezdő: HUF 718,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A; SOT227B (3 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 84A Kollektoráram az impulzusban: 460A Teljesítmény ...
IXYS
IXYN100N120C3
kezdő: HUF 13 915,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090EDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57090EDWR2G
kezdő: HUF 485,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 34A Kollektoráram az impulzusban: 1...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45GP120JDQ2
kezdő: HUF 13 938,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57085DR2G, 7 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 7 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57085DR2G
kezdő: HUF 506,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 150A Kollektoráram az impulzusban: 450A...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GAR12T4 22892400
kezdő: HUF 20 878,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57080B nagy−áramerősségű egycsatornás IGBT kapu meghajtó 3.75 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára és meg...
onsemi
NCD57080BDR2G
kezdő: HUF 776,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 270...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU3
kezdő: HUF 9 656,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090EDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCD57090EDWR2G
kezdő: HUF 583,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 190A Kollektoráram az impulzusban: 800A Teljesítmény...
IXYS
IXGN400N60A3
kezdő: HUF 16 190,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57530DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCD57530DWKR2G
kezdő: HUF 774,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   109   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.