Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (903 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 30 A, 650 V, HU3PAK (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HU3PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT055HU65G3AG
kezdő: HUF 3 563,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Sorozat = SCT1000N170 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
SCT1000N170
kezdő: HUF 2 364,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (1 ajánlat) 
SiC MOSFETA STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET gyártott kihasználva a Advanced, innovatív tulajdonságait széles sávrés anyagok. Ez az egységnyi területre eső, felülmúlhatatlan ...
ST Microelectronics
SCT1000N170
kezdő: HUF 3 712,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 670,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 741,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 3 112,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 3 236,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 239,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT10N120H Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 976,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 5 234,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 4 652,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SiC MOSFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 467,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokka...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 464,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 400,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 469,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   61   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.