Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 594 ajánlat 4 214 797 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
IGBT meghajtó modul NCV57201DR2G, 1,9 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCPx57201 egy nagyfeszültségű kapu meghajtó, egy nem−szigetelésű alacsony oldali kapu meghajtó és egy galvanikusan leválasztott magas vagy alacsony oldali kapu meghajtó. Két IGBT...
onsemi
NCV57201DR2G
kezdő: HUF 286,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 600A Kollektoráram az impulzusban: ...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
kezdő: HUF 77 513,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57530DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCD57530DWKR2G
kezdő: HUF 1 037,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 490A Teljesítmény ...
IXYS
IXYN100N65B3D1
kezdő: HUF 9 265,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57540DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCD57540DWKR2G
kezdő: HUF 744,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 900V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 27A Kollektoráram az impulzusban: 16...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90JDQ2
kezdő: HUF 17 679,00*
db-ként
 
 db
Infineon DF300R07W2H3B77BPSA1 IGBT-modul, 40 A, 90 A, 650 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A, 90 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 4
Infineon
DF300R07W2H3B77BPSA1
kezdő: HUF 21 699,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 21A Kollektoráram az impulzusban: 265A Teljesítmény ...
IXYS
IXBN42N170A
kezdő: HUF 11 794,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57540DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCV57540DWKR2G
kezdő: HUF 746,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 65A Kollektoráram az impulzusban: 150A Teljesítmény ...
IXYS
IXA70I1200NA
kezdő: HUF 8 691,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCV57080BDR2G
kezdő: HUF 673,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 360A Teljesítmény e...
IXYS
IXYN75N65C3D1
kezdő: HUF 8 880,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090ADWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCV57090ADWR2G
kezdő: HUF 506,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Ic: 140A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 3 Teljesítmény: 30kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 140A Kollekt...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39AC126V2 25230550
kezdő: HUF 143 339,00*
db-ként
 
 db
Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT-modul, 70 A, 650 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 4
Infineon
F3L100R07W2H3B11BPSA1
kezdő: HUF 20 262,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   107   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.