Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (2 257 ajánlat 4 372 045 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 54A Kollektoráram az impulzusban: 170A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45GP120B2DQ2G
kezdő: HUF 8 840,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS30TSX2DHRC11 IGBT, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 267 W Csomag típusa = TO-2...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DHRC11
kezdő: HUF 1 778,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 357W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 30A Kollektoráram az impulzusban: 75A Kapcsolási idő: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT33GF120B2RDQ2G
kezdő: HUF 6 866,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGTV80TK65DGVC11 IGBT N-csatornás, 23 A, 650 V, 3-tüskés, TO-3PFM 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 23 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 85 W Csomag típusa = TO-3PF...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65DGVC11
kezdő: HUF 1 566,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGSX5TS65EHRC11 IGBT N-csatornás, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 75 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Kiosztás = Egyszeres Rögzítés típusa = ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
kezdő: HUF 3 057,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 330A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GP60B2G
kezdő: HUF 8 789,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGTH50TS65DGC13 IGBT, 50 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 174 W Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH50TS65DGC13
kezdő: HUF 1 090,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 102A Kollektoráram az impulzusban: 307A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT102GA60B2
kezdő: HUF 5 565,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS30TSX2HRC11 IGBT, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
A ROHM Field stop Trench IGBT elsősorban használt, mint egy melegítő autóipari. A teljesítményveszteség 267 Watts.Alacsony kollektor - emitter telítési feszültség Rövidzárlat ellen idő 10μs AEC-Q10...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
kezdő: HUF 1 531,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: T-Max kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 150A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120B2RG
kezdő: HUF 6 248,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGW00TS65CHRC11 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 254 W Csomag típusa = TO-24...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65CHRC11
kezdő: HUF 3 429,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 2,5kV; 2A; 32W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 2,5kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 2A Kollektoráram az impulzusban: 13,5A Kapcsolási idő: 115ns Kikapcso...
IXYS
IXGH2N250
kezdő: HUF 3 886,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGT00TS65DGC13 IGBT, 85, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 85 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Kiosztás = Egyszeres
ROHM Semiconductor
RGT00TS65DGC13
kezdő: HUF 842,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 36A Kollektoráram az impulzusban: 109A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT36GA60B
kezdő: HUF 1 701,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGTH80TS65DGC13 IGBT, 70 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 234 W Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH80TS65DGC13
kezdő: HUF 1 250,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111   ..   151   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.