Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (2 262 ajánlat 4 372 045 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 24A Kollektoráram az impulzusban: 75A Kapcsolási idő: 54ns Kikapcsolá...
IXYS
IXGH24N170A
kezdő: HUF 4 903,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS50TSX2DGC11 IGBT, 50 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 395 W Csomag típusa = TO-2...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
kezdő: HUF 2 201,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 5A Kollektoráram az impulzusban: 9A Kapcsolási idő: 110ns Kikapcsolási ...
IXYS
IXA4IF1200TC
kezdő: HUF 1 322,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGT50TS65DGC13 IGBT, 48, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 48 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 1,74 mW Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT50TS65DGC13
kezdő: HUF 1 092,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 20A Kollektoráram az impulzusban: 50A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT13GP120BDQ1G
kezdő: HUF 3 148,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGCL60TS60GC13 IGBT, 48 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 48 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 111 W Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
kezdő: HUF 500 853,60*
600 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 80A Kollektoráram az impulzusban: 430A Kapcsolási idő: 125ns Kikapcsol...
IXYS
IXXH80N65B4D1
kezdő: HUF 2 800,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGTH50TS65DGC13 IGBT, 50 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Kiosztás = Egyszeres kollektor, egyszer...
ROHM Semiconductor
RGTH50TS65DGC13
kezdő: HUF 1 317,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 24A Kollektoráram az impulzusban: 75A Kapcsolási idő: 54ns Kikapcsolási...
IXYS
IXGT24N170A
kezdő: HUF 3 279,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS80TSX2DGC11 IGBT, 80 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 80 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247N Tüskék száma = 3
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2DGC11
kezdő: HUF 2 906,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 33A Kollektoráram az impulzusban: 90A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP120BDQ1G
kezdő: HUF 4 585,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGT80TS65DGC13 IGBT, 70, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 2,34 mW Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT80TS65DGC13
kezdő: HUF 1 251,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 1,2kV; 40A; 360W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 160A Kapcsolási idő: 55ns Kikapcsol...
IXYS
IXGH40N120A2
kezdő: HUF 3 626,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGCL80TS60GC13 IGBT, 65 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 65 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 148 W Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC13
kezdő: HUF 657 896,802*
600 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 18A Kollektoráram az impulzusban: 45A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT15GT120BRDQ1G
kezdő: HUF 2 153,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111   ..   151   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.