Mercateo

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRLU3110ZPBF

kezdő: HUF 35 228,00025*
75 db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 200 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) QFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesít...

onsemi

FQU5P20TU

kezdő: HUF 158,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 55 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...

Infineon

IRFU5305PBF

kezdő: HUF 21 180,20025*
75 db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STU7NM60N

kezdő: HUF 27 817,9005*
75 db-ként

91%

Infineon IRFU3607 tranzisztor 150 V (3 ajánlat)

Infineon

IRFU3607PBF

kezdő: HUF 188,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 1,8 A, 400 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFU9310PBF

kezdő: HUF 25 949,90025*
75 db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFU1N60APBF

kezdő: HUF 235,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

A COOL MOS™ Infineon-kialakítása egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A le...

Infineon

IPSA70R1K4P7SAKMA1

kezdő: HUF 108,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFU1N60APBF

kezdő: HUF 3 017,90*
10 db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 60 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

FQU11P06TU

kezdő: HUF 110,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFU110PBF

kezdő: HUF 123,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK SL (TO-251 SL) CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ P7 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

Infineon

IPS70R1K4P7SAKMA1

kezdő: HUF 90,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRLU110PBF

kezdő: HUF 19 623,60*
75 db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

IPSA70R450P7SAKMA1

kezdő: HUF 198,00*
db-ként

91%

Infineon IPU80R4K5P7 tranzisztor 800 V (2 ajánlat)

Infineon

IPU80R4K5P7AKMA1

kezdő: HUF 137,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 23 előre

ipaky (343 ajánlat 4 343 594 cikkből)