Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET-tranzisztor

  MOSFET-tranzisztor  (21 753 ajánlat 4 372 045 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET-tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET-tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (2 ajánlat) 
A Vishay SIHD6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...
Vishay
SIHD6N80AE-GE3
kezdő: HUF 176,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 60A Ellenállás vezetési állapotban: 55mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
IXYS
IXFH60N60X
kezdő: HUF 3 544,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 15 W Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres Szélesség = 6.2mm Magasság = 2.17mm
ST Microelectronics
STD1802T4
kezdő: HUF 99,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 30,8A; 240W; DFN; 8x8mm (1 ajánlat) 
Gyártó: TOSHIBA Szerelés: SMD Tokozás: DFN Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 30,8A Ellenállás vezetési állapotban: 109mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 240W Polaritás: ...
Toshiba
TK31V60W5,LVQ(S
kezdő: HUF 1 038,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHG105N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 101,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPN80R2K0P7 tranzisztor 800 V (1 ajánlat)
Infineon
IPN80R2K0P7ATMA1
kezdő: HUF 328 443,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO247-3 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 29A Ellenállás vezetési állapotban: 83mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
Infineon
SPW47N60CFDFKSA1
kezdő: HUF 6 328,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális ...
onsemi
NTBG080N120SC1
kezdő: HUF 3 391,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) 
Ez az IGBT a Advanced PowerMESH™ eljárást használja, ami kiváló kompromisszumot jelent a kapcsolási teljesítmény és az alacsony on-line viselkedés között.A feszültségesésnél alacsonyabb (VCE(sat)) ...
ST Microelectronics
STGP8NC60KD
kezdő: HUF 242,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO220-3 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 30A Ellenállás vezetési állapotban: 60mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
Infineon
IPP60R060P7
kezdő: HUF 2 043,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 5-tüskés, ThinPAK 8 x 8 CoolMOS™ C7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 600V CoolMOS™ C7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET sorozat a CoolMOS™ CP-hez képest ∼50%-kal csökkenti a kikapcsolási veszteségeket (e oss), kiemelkedő teljesítményt nyújtva a PFC, TTF és más...
Infineon
IPL60R065C7AUMA1
kezdő: HUF 1 398,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 800V Cool MOS™ P7 Super junction MOSFET sorozat tökéletes választás az alacsony fogyasztású SMPS alkalmazásokhoz, mivel teljes mértékben kielégíti a piaci igényeket a teljesítmény, az eg...
Infineon
IPD80R2K0P7ATMA1
kezdő: HUF 155,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 2A; Idm: 3,7A; 42W; TO220AB (1 ajánlat) 
Gyártó: DIODES INCORPORATED Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 2A Ellenállás vezetési állapotban: 2,7Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 42W ...
Diodes
DMG3N60SCT
kezdő: HUF 146,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...
ROHM Semiconductor
SCT3080KW7TL
kezdő: HUF 4 589,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™ (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: PLUS247™ Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 64A Ellenállás vezetési állapotban: 0,1Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 1,13kW Polaritás:...
IXYS
IXFX64N60P3
kezdő: HUF 3 300,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   751   752   753   754   755   756   757   758   759   760   761   ..   1451   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.