Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET-tranzisztor

  MOSFET-tranzisztor  (21 758 ajánlat 4 372 566 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET-tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET-tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 3,1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN2055UW (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-323 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...
Diodes
DMN2055UW-7
kezdő: HUF 68 655,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 3,5A; 35W; SC67 (1 ajánlat) 
Figyelem! A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk. Gyártó: TOSHIBA Szerelés: THT T...
Toshiba
TK4A60DA(STA4,Q,M)
kezdő: HUF 177,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPD30N06S2-23 tranzisztor 55 V (1 ajánlat)
Infineon
IPD30N06S223ATMA2
kezdő: HUF 433 413,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat) 
A Wolfspeed a SIC technológia terén betöltött vezető szerepét bővíti a Advanced SIC MOSFET technológia bevezetésével. A tervezők csökkenthetik az alkatrészek számát, ha a szilíciumalapú, három szin...
Wolfspeed
C3M0075120D
kezdő: HUF 4 046,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 0,5µs Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 30A Ellenállás vezetési állapotban: 0,24Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elos...
IXYS
IXTH30N60P
kezdő: HUF 2 226,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 298 A, 25 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 298 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 25 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma ch...
Infineon
IQE006NE2LM5ATMA1
kezdő: HUF 416,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3,1 A, 700 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = ThinPAK 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek szám...
Infineon
IPLK70R2K0P7ATMA1
kezdő: HUF 182,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 3,9A; 125W; TO220AB (1 ajánlat) 
Gyártó: VISHAY Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 3,9A Ellenállás vezetési állapotban: 1,2Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 125W Polaritás:...
Vishay
IRFBC40LCPBF
kezdő: HUF 304,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 60 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chi...
Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1
kezdő: HUF 198,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 (1 ajánlat) 
Gyártó: NTE Electronics Szerelés: THT Tokozás: TO220 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 6A Ellenállás vezetési állapotban: 0,8Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 35W Polari...
NTE Electronics
NTE2974
kezdő: HUF 1 578,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) Si (1 ajánlat) 
A ON SEMICONDUCTOR szilícium-karbid (SIC) N-csatornás MOSFET teljesen új technológiát használ, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb megbízhatóságot nyújt a szilíciumhoz képest. Ezen kív...
onsemi
NTBG080N120SC1
kezdő: HUF 3 074,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Tokozás: PG-TO263-3-2 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 31A Ellenállás vezetési állapotban: 0,105Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elos...
Infineon
IPB60R099CPATMA1
kezdő: HUF 1 685,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 299 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 80-V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Teljesen ólomm...
Vishay
SIJH800E-T1-GE3
kezdő: HUF 981,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 55A; 625W; ISOPLUS264™ (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: ISOPLUS264™ Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 55A Ellenállás vezetési állapotban: 80mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 625W Polaritás...
IXYS
IXFL82N60P
kezdő: HUF 8 441,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3,4 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 DMN3061 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSOT-26 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő fo...
Diodes
DMN3061SVT-7
kezdő: HUF 128 745,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   751   752   753   754   755   756   757   758   759   760   761   ..   1451   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.