Teljesítmény tranzisztor a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (52/864 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Modul; szimpla tranzisztor; 900V; 56A; SOT227B; csavarható; 1000W (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 900V Drén áram: 56A Ellenállás vezetési állapotban: 0,145Ω Teljesítmény elosz...

IXYS

IXFN56N90P

kezdő: HUF 20 030,00*
db-ként

Infineon IRFU7546 tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFU7546PBF

kezdő: HUF 11 503,0005*
75 db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 3A; 25W; TO220FP (2 ajánlat)

Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: THT Tokozás: TO220FP kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 3A Kollektoráram az impulzusban: 20A Tranzisztor típusa...

ST Microelectronics

STGF3NC120HD

kezdő: HUF 438,00*
db-ként

Infineon IPD50R500CE tranzisztor 500 V (2 ajánlat)

Infineon

IPD50R500CEAUMA1

kezdő: HUF 113,00*
db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 (2 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 30A Tranzisztor típusa: IGBT Teljesítmény elosztás: ...

Infineon

IGW15N120H3FKSA1

kezdő: HUF 892,00*
db-ként

Infineon IRFSL4410Z tranzisztor 150 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFSL4410ZPBF

kezdő: HUF 422,00*
db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,8kV; 40A; 375W; TO3PN (1 ajánlat)

Gyártó: TOSHIBA Szerelés: THT Tokozás: TO3PN kolektor - emitter feszültség: 1,8kV Emitter - kapu feszültség: ±25V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 80A Kapcsolási idő: 950ns Kikapcso...

Toshiba

GT40WR21,Q(O

kezdő: HUF 2 956,00*
db-ként

RF bipoláris tranzisztor BFP780H6327XTSA1, NPN, 120 mA, 6,1 V, 3-tüskés (1 ajánlat)

A Infineon BFP780 egy egyfokozatú magas linearitás erősítés és nem belső illesztett meghajtó erősítő alapú NPN szilícium germánium technológia.Nagy maximális RF bemeneti teljesítmény PRFin, max = 2...

Infineon

BFP780H6327XTSA1

kezdő: HUF 526,00*
db-ként

Modul; tranzisztor/tranzisztor; 1,2kV; 76A; HB9434; csavarható (1 ajánlat)

Gyártó: DACO Semiconductor Üzemi hőmérséklet: -55...150°C Tokozás: HB9434 Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 76A Ellenállás vezetési állapotban:...

DACO Semiconductor

DACMH120N1200

kezdő: HUF 81 741,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH029N Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor MOSFET vadonatúj−, nagyfeszültségű szuper−junction MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú ellenálláshoz és az als...

onsemi

FCH029N65S3-F155

kezdő: HUF 5 109,00*
db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 40A; 250W; TO247-3 (2 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 160A Tranzisztor t...

Infineon

IKW40N120CS6XKSA1

kezdő: HUF 1 371,00*
db-ként

Infineon IPA50R800CE tranzisztor 800 V (2 ajánlat)

Infineon

IPA50R800CEXKSA2

kezdő: HUF 110,00*
db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 40A; 133W; TO247-3 (1 ajánlat)

Infineon

IKQ40N120CT2XKSA1

kezdő: HUF 3 682,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 72 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Si (2 ajánlat)

A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET az MDmesh DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony h...

ST Microelectronics

STWA68N65DM6AG

kezdő: HUF 3 028,00*
db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 (1 ajánlat)

Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 75A Kapcsolási idő...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT25GT120BRG

kezdő: HUF 2 251,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .. 864 előre

Teljesítmény tranzisztor (12 954 ajánlat 4 241 038 cikkből)

"Teljesítmény tranzisztor"