Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (12 954 ajánlat 4 235 706 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 3 052,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,25kV; 20A; 259W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,25kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 20A Kollektoráram az impulzusban: 80A Tranzisztor típu...
ST Microelectronics
STGW20IH125DF
kezdő: HUF 829,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN019N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTH4LN019N65S3H
kezdő: HUF 6 927,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 40A; 270W; TO247-3 (2 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 105A Tranzisztor t...
Infineon
IGW40T120FKSA1
kezdő: HUF 1 605,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 800V Cool MOS™ P7 Super junction MOSFET sorozat tökéletes választás az alacsony fogyasztású SMPS alkalmazásokhoz, mivel teljes mértékben kielégíti a piaci igényeket a teljesítmény, az eg...
Infineon
IPP80R600P7XKSA1
kezdő: HUF 398,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1,24mJ; Eon: 2,45mJ (1 ajánlat) 
Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO247 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kol.- emitt. feszültség telítettség: 1,8V Kollektoráram: 40A Ko...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK40B120H1
kezdő: HUF 1 077,00*
db-ként
 
 db
Panasonic Túlfeszültség elnyelő 650V, 100A, 800pF, , 16.5 (Dia.) x 6.2mm, E-S1 sorozat (1 ajánlat) 
A ″ZNR″ Tranziens/Túlfeszültségcsökkentő E-S1 sorozat javítja az E-sorozatú termékeket, amelyek kis méretben képesek kis túlfeszültséget elnyelni, magas hőmérsékleten is alkalmasak a túlfeszültségv...
Panasonic
ERZE14A391SC
kezdő: HUF 845,53*
5 db-ként
 
 csomagok
Tranzisztor: IGBT; 400V; 15A; 40W; TO220FP (1 ajánlat) 
Gyártó: NTE Electronics Szerelés: THT Tokozás: TO220FP kolektor - emitter feszültség: 400V Emitter - kapu feszültség: ±25V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 170A Kapcsolási idő: 150n...
NTE Electronics
NTE3301
kezdő: HUF 2 280,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor 2SAR512PHZGT100, PNP, -2 A, -30 V, 3-tüskés (1 ajánlat) 
A ROHM teljesítmény tranzisztor alacsony VCE (SAT), alkalmas alacsony frekvenciájú erősítő.Alacsony telítési feszültség VCE(SAT)-400mV (max.) (IC/IB-700mA/-35mA) Nagysebességű kapcsolás AEC-Q101 mi...
ROHM Semiconductor
2SAR512PHZGT100
kezdő: HUF 92,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 25A; 174W; TO247-3 (2 ajánlat) 
Gyártó: DIODES INCORPORATED Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 100A Kapcsolási idő:...
Diodes
DGTD120T25S1PT
kezdő: HUF 964,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPD50R650CE tranzisztor 700 V (1 ajánlat)
Infineon
IPD50R650CEAUMA1
kezdő: HUF 104,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 50A; 151W; TO247-3 (2 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 200A Tranzisztor t...
Infineon
IKQ50N120CT2XKSA1
kezdő: HUF 2 788,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS CE Si (1 ajánlat) 
A Infineon CoolMOS egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szuper csatlakozás (SJ) elvének megfelelően terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A Cool...
Infineon
IPS60R800CEAKMA1
kezdő: HUF 161,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3 (2 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 200A Tranzisztor t...
Infineon
IKQ50N120CH3XKSA1
kezdő: HUF 2 833,00*
db-ként
 
 db
Panasonic Túlfeszültség elnyelő 775V, 100A, 750pF, , 16.5 (Dia.) x 6.6mm, E-S1 sorozat (1 ajánlat) 
A ″ZNR″ Tranziens/Túlfeszültségcsökkentő E-S1 sorozat javítja az E-sorozatú termékeket, amelyek kis méretben képesek kis túlfeszültséget elnyelni, magas hőmérsékleten is alkalmasak a túlfeszültségv...
Panasonic
ERZE14A471S1
kezdő: HUF 169 912,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   864   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.