Teljesítmény tranzisztor a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (51/869 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Modul; szimpla tranzisztor; 900V; 33A; SOT227B; csavarható; 695W (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 300ns Drén - forrás feszültség: 900V Drén áram: 33A Ellenállás vezetési állapotban: 0,23Ω Teljesítmény eloszt...

IXYS

IXFN40N90P

kezdő: HUF 11 650,00*
db-ként

Infineon IRFU7546 tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFU7546PBF

kezdő: HUF 11 516,00025*
75 db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 40A; 133W; TO247-3 (1 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő...

Infineon

IKQ40N120CT2XKSA1

kezdő: HUF 3 728,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 60 V, 8-tüskés, TSDSON-8 FL OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

A Infineon OptiMOS™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET. Kiválóan alkalmas vezeték nélküli töltés, adapter és telekommunikációs alkalmazásokhoz. Az eszközök alacsony kapu töltés (Q g) csökkent...

Infineon

BSZ099N06LS5ATMA1

kezdő: HUF 188,00*
db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 500V; 33A; ISOTOP; csavarható; 460W (2 ajánlat)

Gyártó: STMicroelectronics Tokozás: ISOTOP Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 33A Ellenállás vezetési állapotban: 70mΩ Teljesítmény elosztás: 460W Po...

ST Microelectronics

STE53NC50

kezdő: HUF 9 247,00*
db-ként

Infineon IPD135N08N3 G tranzisztor 80 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD135N08N3GATMA1

kezdő: HUF 342 449,50*
2 500 db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 25A; 190W; TO247-3 (1 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Tranzisztor típusa: IGBT Teljesítmény elosztás: ...

Infineon

IGW25T120FKSA1

kezdő: HUF 1 182,00*
db-ként

Infineon IRFS7430 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFS7430TRLPBF

kezdő: HUF 573,00*
db-ként

Modul; tranzisztor/tranzisztor; 1,2kV; 285A; Half-Bridge Module (2 ajánlat)

Gyártó: Wolfspeed(CREE) Üzemi hőmérséklet: -40...125°C Tokozás: Half-Bridge Module Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 285A Ellenállás vezetési á...

Wolfspeed

CAS300M12BM2

kezdő: HUF 298 469,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH029N Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor MOSFET vadonatúj−, nagyfeszültségű szuper−junction MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú ellenálláshoz és az als...

onsemi

FCH029N65S3-F155

kezdő: HUF 5 112,00*
db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1,24mJ; Eon: 2,45mJ (1 ajánlat)

Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO247 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kol.- emitt. feszültség telítettség: 1,8V Kollektoráram: 40A Ko...

Alpha & Omega Semiconductor

AOK40B120H1

kezdő: HUF 1 090,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 464 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS0D5N Si (1 ajánlat)

A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 464 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Kiváló hővezetési és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x6 mm) Rendkívül a...

onsemi

NTMFS0D5N03CT1G

kezdő: HUF 1 131,00*
db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 500V; 53A; SOT227B; csavarható; 735W (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 980ns Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 53A Ellenállás vezetési állapotban: 0,1Ω Teljesítmény elosztá...

IXYS

IXTN60N50L2

kezdő: HUF 15 885,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 650 V, 8-tüskés, H-PSOF8L NTBL050N65S Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...

onsemi

NTBL050N65S3H

kezdő: HUF 2 527,00*
db-ként

Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P (1 ajánlat)

Gyártó: NTE Electronics Szerelés: THT Tokozás: TO3P kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 50A Kapcsolási idő: 0,4µs K...

NTE Electronics

NTE3323

kezdő: HUF 9 210,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .. 869 előre

Teljesítmény tranzisztor (13 026 ajánlat 4 362 840 cikkből)

"Teljesítmény tranzisztor"