Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > Tranzisztor

  Tranzisztor  (7 811 ajánlat 4 156 461 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Alárendelt fogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 20A Kollektoráram az impulzusban: 108A Kapcsolási idő: 39ns Kikapcsolá...
IXYS
IXYP20N65B3D1
kezdő: HUF 870,00*
db-ként
 
 db
Infineon AUIRGDC0250 IGBT, 141 A, 1200 V, Super-TO-220 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 141 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 543 W Kiosztás = Egyszeres
Infineon
AUIRGDC0250
kezdő: HUF 92 811,40*
50 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 200A Kapcsolási idő: 69ns Kikapcsolá...
IXYS
IXXH50N60C3
kezdő: HUF 2 411,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57085DR2G, 7 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 7 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCD57085DR2G
kezdő: HUF 353,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 75A; 781W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 150A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GF120LRG
kezdő: HUF 8 235,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul 1EDC20H12AHXUMA1 CMOS, 2 A, 3.1 → 17V, 8-tüskés, DSO (1 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 2 A Tápfeszültség = 3.1 → 17V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 9ns
Infineon
1EDC20H12AHXUMA1
kezdő: HUF 414,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 300A Kapcsolási idő: 108ns Kikapcsol...
IXYS
IXXH75N60B3D1
kezdő: HUF 3 275,00*
db-ként
 
 db
IGBT tranzisztormodul, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 15V Tranzisztorok száma = 2 Kiosztás = Egyszeres
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
kezdő: HUF 2 324,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO263 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 20A Kollektoráram az impulzusban: 105A Kapcsolási idő: 51ns Kikapcsolási...
IXYS
IXYA20N65C3
kezdő: HUF 765,00*
db-ként
 
 db
Infineon BSC0923NDIATMA1 IGBT N-csatornás, 8-tüskés, PG-TISON-8 (1 ajánlat) 
Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 2,5 W Csomag típusa = PG-TISON-8 Rögzítés típusa = Furatszerelt Csatorna típusa = N Tüskék száma = 8
Infineon
BSC0923NDIATMA1
kezdő: HUF 197,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 72A Kollektoráram az impulzusban: 360A Kapcsolási idő: 62ns Kikapcsolá...
IXYS
IXGH72N60C3
kezdő: HUF 1 599,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCD57090BDWR2G
kezdő: HUF 544,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 100A; 830W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 600A Kapcsolási idő: 285ns Kikapcsol...
IXYS
IXGK100N170
kezdő: HUF 12 215,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul 1EDI2002ASXUMA2, 5 mA, 4.65 → 18V, 36-tüskés, DSO (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 5 mA Tápfeszültség = 4.65 → 18V Tüskék száma = 36 Leesési idő = 150ns
Infineon
1EDI2002ASXUMA2
kezdő: HUF 2 531,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 80A Kapcsolási idő: 36ns Kikapcsolás...
IXYS
IXYP15N65C3
kezdő: HUF 632,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   291   292   293   294   295   296   297   298   299   300   301   ..   521   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.