Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  > Tranzisztor

  Tranzisztor  (7 343 ajánlat 4 141 849 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
IGBT meghajtó modul NCV57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCV57090CDWR2G
kezdő: HUF 509,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 215A Kapcsolási idő: 71ns Kikapcsolá...
IXYS
IXXH40N65C4D1
kezdő: HUF 1 798,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090ADWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCD57090ADWR2G
kezdő: HUF 487,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 30A Kollektoráram az impulzusban: 146A Kapcsolási idő: 65ns Kikapcsolá...
IXYS
IXXH30N65B4D1
kezdő: HUF 1 630,00*
db-ként
 
 db
Infineon AIKW50N60CTXKSA1 IGBT, 80 A, 600 V, 3-tüskés, PG-TO263-3 (1 ajánlat) 
A Infineon Fieldstop technológia szigetelt kapus bipoláris tranzisztor lágy, gyors helyreállás elleni párhuzamos emitter vezérelt diódával.Nagy hatékonyság Alacsony kapcsolási veszteségek Nagyobb m...
Infineon
AIKW50N60CTXKSA1
kezdő: HUF 2 290,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 900V; 140A; 1,63kW; PLUS247™ (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: PLUS247™ kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 140A Kollektoráram az impulzusban: 840A Kapcsolási idő: 122ns Kikapcs...
IXYS
IXYX140N90C3
kezdő: HUF 5 113,00*
db-ként
 
 db
Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT-modul, 650 A, 150 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 650 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 150 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 335 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
F3L150R07W2E3B11BOMA1
kezdő: HUF 28 294,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™ (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: PLUS247™ kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 160A Kollektoráram az impulzusban: 860A Kapcsolási idő: 93ns Kikapcso...
IXYS
IXXX160N65B4
kezdő: HUF 4 597,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57530DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCV57530DWKR2G
kezdő: HUF 744,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™ (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: PLUS247™ kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 70A Kollektoráram az impulzusban: 490A Kapcsolási idő: 65ns Kikapcsol...
IXYS
IXXR110N65B4H1
kezdő: HUF 4 190,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCD57090CDWR2G
kezdő: HUF 487,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 225A Kapcsolási idő: 61ns Kikapcsolá...
IXYS
IXXH40N65B4H1
kezdő: HUF 2 916,00*
db-ként
 
 db
Infineon AIKW75N60CTXKSA1 IGBT, 80 A, 600 V, 3-tüskés, PG-TO247-3 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 80 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 428 W Csomag típusa = PG-TO...
Infineon
AIKW75N60CTXKSA1
kezdő: HUF 2 902,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 180A Kapcsolási idő: 81ns Kikapcsolá...
IXYS
IXYH40N90C3D1
kezdő: HUF 2 344,00*
db-ként
 
 db
Infineon F3L150R12W2H3B11BPSA1 IGBT-modul, 75 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 75 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 500 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
F3L150R12W2H3B11BPSA1
kezdő: HUF 32 250,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   291   292   293   294   295   296   297   298   299   300   301   ..   490   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.