Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (13 041 ajánlat 4 362 016 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET sorozatú egyszeres N-csatornás teljesítmény MOSFET. A HEXFET® Power MOSFET a legmodernebb feldolgozási technikákat alkalmazza a szilikonterületenkénti rendkívül alacsony bekapcsol...
Infineon
IRFR48ZTRLPBF
kezdő: HUF 344,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 20A; 170W; TO247; 0,94mJ (1 ajánlat) 
Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO247 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kol.- emitt. feszültség telítettség: 1,54V Kollektoráram: 20A K...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK20B120D1
kezdő: HUF 987,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. További jellemzői ennek a ...
Infineon
IRFR4104TRLPBF
kezdő: HUF 379,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 40V; 600A; SOT227B; csavarható; 940W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 100ns Drén - forrás feszültség: 40V Drén áram: 600A Ellenállás vezetési állapotban: 1,3mΩ Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXTN600N04T2
kezdő: HUF 10 666,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és forrásellenállás 45 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
kezdő: HUF 4 226,00*
db-ként
 
 db
Modul; tranzisztor/tranzisztor; 500V; 38A; SP3F; Press-in PCB (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SP3F Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 38A Ellenállás vezetési állapotban: 78mΩ Teljesítmény elosztás: 39...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM50HM65FT3G
kezdő: HUF 56 325,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTHL Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor MOSFET vadonatúj−, nagyfeszültségű szuper−junction MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú ellenálláshoz és az als...
onsemi
NTHL082N65S3HF
kezdő: HUF 2 197,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 850V; 110A; SOT227B; csavarható; 1170W (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 205ns Drén - forrás feszültség: 850V Drén áram: 110A Ellenállás vezetési állapotban: 33mΩ Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXFN110N85X
kezdő: HUF 20 695,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (1 ajánlat) 
SiC MOSFETA STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET gyártott kihasználva a Advanced, innovatív tulajdonságait széles sávrés anyagok. Ez az egységnyi területre eső, felülmúlhatatlan ...
ST Microelectronics
SCT1000N170
kezdő: HUF 3 713,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 (2 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 30A Tranzisztor típusa: IGBT Teljesítmény elosztás: ...
Infineon
IGW15N120H3FKSA1
kezdő: HUF 895,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 433 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS0D6N Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 433 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Javítja a pillanatnyi felügyeletet és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x...
onsemi
NTMFS0D6N03CT1G
kezdő: HUF 1 057,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 500V; 29A; SOT227B; csavarható; 261W (1 ajánlat) 
Gyártó: VISHAY Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 29A Ellenállás vezetési állapotban: 106mΩ Teljesítmény elosztás: 261W Polaritás: e...
Vishay
VS-FA40SA50LC
kezdő: HUF 9 830,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és a forrásellenállás 55 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási ...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
kezdő: HUF 3 492,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 15A; 100W; TO247-3 (2 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 60A Tranzisztor tí...
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
kezdő: HUF 680,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN067N Si (2 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTH4LN067N65S3H
kezdő: HUF 1 540,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   870   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.