Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 635 ajánlat 4 253 433 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
IGBT meghajtó modul 1EDI60I12AFXUMA1 CMOS, 6 A, 15V, 8-tüskés, PG-DSO-8-51 (1 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 6 A Tápfeszültség = 15V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI60I12AFXUMA1
kezdő: HUF 732 072,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
IGBT meghajtó modul 1EDI20I12MFXUMA1 CMOS, 6 A, 18V, 8-tüskés, PG-DSO-8-51 (1 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 6 A Tápfeszültség = 18V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = PG-DSO-8-51ns
Infineon
1EDI20I12MFXUMA1
kezdő: HUF 325,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; 2kW (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 400A Kollektoráram az impulzusban: ...
Infineon
DF400R12KE3HOSA1
kezdő: HUF 50 360,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57084DR2G, 7 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 7 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57084DR2G
kezdő: HUF 598,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 29A Kollektoráram az impulzusban: 1...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J
kezdő: HUF 14 912,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090ADWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCD57090ADWR2G
kezdő: HUF 486,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV; Ic: 186A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 186A Kollektoráram az impulzusban: 414A...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GBD126D 22891102
kezdő: HUF 54 815,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul 2ED020I12FAXUMA2 CMOS, 2 A, 20V, 36-tüskés, SOIC-36 (1 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 2 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 36 Csomag típusa = SOIC-36ns
Infineon
2ED020I12FAXUMA2
kezdő: HUF 2 311,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper,3 fázisú dióda hid (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 3 Teljesítmény: 22kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 93A Kollektoráram ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490
kezdő: HUF 128 196,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul 2ED020I12F2XUMA1 CMOS, 2 A, 5.5V, 36-tüskés, SOIC-36 (1 ajánlat) 
Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 2 A Tápfeszültség = 5.5V Tüskék száma = 36 Csomag típusa = SOIC-36ns
Infineon
2ED020I12F2XUMA1
kezdő: HUF 1 527,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 175...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GT120JU3
kezdő: HUF 15 623,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090ADWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCD57090ADWR2G
kezdő: HUF 699,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 76A; SOT227B (3 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 76A Kollektoráram az impulzusban: 480A Teljesítmény ...
IXYS
IXYN100N120B3H1
kezdő: HUF 11 953,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCD57090CDWR2G
kezdő: HUF 487,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 120A Kollektoráram az impulzusban: 700A Teljesítmény...
IXYS
IXYN120N120C3
kezdő: HUF 12 848,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   109   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.