Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 635 ajánlat 4 253 149 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor,közös emitter; IGBT x2 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Tokozás: AG-62MM-1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor;közös emitter Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektorá...
Infineon
FF200R12KT3EHOSA1
kezdő: HUF 38 131,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57540DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCV57540DWKR2G
kezdő: HUF 775,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 110A Kollektoráram az impulzusban: 650A Teljesítmény ...
IXYS
IXXN110N65B4H1
kezdő: HUF 9 530,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090ADWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCV57090ADWR2G
kezdő: HUF 621,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; D59 (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS4 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 300A Kollektoráram az impulzusban: 30...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12V 22892123
kezdő: HUF 56 816,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57540DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCD57540DWKR2G
kezdő: HUF 772,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (3 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 65A Kollektoráram az impulzusban: 150A Teljesítmény ...
IXYS
IXA70I1200NA
kezdő: HUF 8 812,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57540DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCV57540DWKR2G
kezdő: HUF 1 070,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; H híd; Urmax: 600V; Ic: 17A (1 ajánlat) 
Gyártó: POWERSEM Tokozás: ECO-PAC 2 Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 17A Kollektoráram az impulzusban: 30A Alka...
Powersem
PSHI 25/06
kezdő: HUF 6 881,00*
db-ként
 
 db
Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT-modul, 69 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 69 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 335 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
kezdő: HUF 11 838,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 900V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 27A Kollektoráram az impulzusban: 16...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90JDQ2
kezdő: HUF 17 929,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCV57090CDWR2G
kezdő: HUF 675,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 46A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 46A Kollektoráram az impulzusban: 380A Teljesítmény ...
IXYS
IXYN82N120C3
kezdő: HUF 12 826,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090ADWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCV57090ADWR2G
kezdő: HUF 506,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 30A; SOT227B (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 30A Kollektoráram az impulzusban: 275A Teljesítmény ...
IXYS
IXYN30N170CV1
kezdő: HUF 14 055,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   109   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.