IGBT modul a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (16/109 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 160A Kollektoráram az impulzusban: 1,05kA Teljesítmé...

IXYS

IXGN200N170

kezdő: HUF 23 482,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCD57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns

onsemi

NCD57090BDWR2G

kezdő: HUF 805,00*
db-ként

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat)

Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 324A Kollektoráram az impulzusban: 900A...

SEMIKRON DANFOSS

SKM300GAR12E4 22892418

kezdő: HUF 44 988,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCD57085DR2G, 7 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 7 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns

onsemi

NCD57085DR2G

kezdő: HUF 353,00*
db-ként

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 ajánlat)

Figyelem! A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk. Gyártó: IXYS Tokozás: SMPD-B Ma...

IXYS

IXA30PG1200DHGLB

kezdő: HUF 4 108,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCD57530DWKR2G PWM, 6,5 A, 20V, 14-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Logikai típus = PWM Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 14 Csomag típusa = SOIC

onsemi

NCD57530DWKR2G

kezdő: HUF 1 051,00*
db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 490A Teljesítmény ...

IXYS

IXYN100N65B3D1

kezdő: HUF 9 352,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCV57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

A ON Semiconductor NCD57080B nagy−áramerősségű egycsatornás IGBT kapu meghajtó 3.75 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára és meg...

onsemi

NCV57080BDR2G

kezdő: HUF 391,00*
db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 680A Teljesítmény ...

IXYS

IXBN75N170

kezdő: HUF 31 202,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCD57090DDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns

onsemi

NCD57090DDWR2G

kezdő: HUF 611,00*
db-ként

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; D56 (1 ajánlat)

Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 300A Kollektoráram az impulzusban: 600A...

SEMIKRON DANFOSS

SKM400GAR125D 21915960

kezdő: HUF 95 588,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCD57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...

onsemi

NCD57090BDWR2G

kezdő: HUF 544 969,00*
1 000 db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; D59 (1 ajánlat)

Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS4 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 300A Kollektoráram az impulzusban: 90...

SEMIKRON DANFOSS

SKM300GA12T4 22892120

kezdő: HUF 34 687,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCV57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns

onsemi

NCV57080BDR2G

kezdő: HUF 676,00*
db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 360A Teljesítmény e...

IXYS

IXYN75N65C3D1

kezdő: HUF 8 973,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 109 előre

IGBT modul (1 635 ajánlat 4 253 430 cikkből)

"IGBT modul"