IGBT modul a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (17/107 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV; Ic: 186A (1 ajánlat)

Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 186A Kollektoráram az impulzusban: 414A...

SEMIKRON DANFOSS

SKM200GBD126D 22891102

kezdő: HUF 54 085,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul 2EDN7424FXTMA1 TTL, 4 A, 22V, 8-tüskés, PG-DSO-8-60 (1 ajánlat)

Logikai típus = TTL Kimeneti áramerősség = 4 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = PG-DSO-8-60

Infineon

2EDN7424FXTMA1

kezdő: HUF 259,00*
db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 240A Teljesítmény ...

IXYS

IXGN50N120C3H1

kezdő: HUF 12 167,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCV57090ADWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns

onsemi

NCV57090ADWR2G

kezdő: HUF 618,00*
db-ként

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 ajánlat)

Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 270...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT100GLQ65JU3

kezdő: HUF 9 620,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCD57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...

onsemi

NCD57090CDWR2G

kezdő: HUF 485,00*
db-ként

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper,3 fázisú dióda hid (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: V2-Pack Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 175A Kollektoráram az impulzusban: 450A Alkalmazás: in...

IXYS

VUB160-16NOXT

kezdő: HUF 32 461,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul IR2214SSPBF CMOS, 3 A, 20V, 24-tüskés, 24 vezetékes SSOP (1 ajánlat)

Logikai típus = CMOS Kimeneti áramerősség = 3 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 24 Csomag típusa = 24 vezetékes SSOP Meghajtók száma = 2

Infineon

IR2214SSPBF

kezdő: HUF 1 592,00*
db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 120A Kollektoráram az impulzusban: 700A Teljesítmény...

IXYS

IXYN120N120C3

kezdő: HUF 12 712,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCD57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

A ON Semiconductor NCD57080B nagy−áramerősségű egycsatornás IGBT kapu meghajtó 3.75 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára és meg...

onsemi

NCD57080BDR2G

kezdő: HUF 776,00*
db-ként

Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 160A Kollektoráram az impulzusban: 1,05kA Teljesítmé...

IXYS

IXGN200N170

kezdő: HUF 23 107,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCV57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns

onsemi

NCV57090CDWR2G

kezdő: HUF 670,00*
db-ként

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 ajánlat)

Figyelem! A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk. Gyártó: IXYS Tokozás: SMPD-B Ma...

IXYS

IXA30PG1200DHGLB

kezdő: HUF 4 037,00*
db-ként

IGBT meghajtó modul NCD57090EDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOIC

onsemi

NCD57090EDWR2G

kezdő: HUF 486,00*
db-ként

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper,3 fázisú dióda hid (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: E2-Pack Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 140A Kollektoráram az impulzusban: 300A Alkalmazás: in...

IXYS

VUB145-16NOXT

kezdő: HUF 34 084,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 107 előre

IGBT modul (1 594 ajánlat 4 214 797 cikkből)

"IGBT modul"