Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 594 ajánlat 4 214 791 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; IGBT 3-fázisú híd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: MiniSKiiP® 3 Teljesítmény: 30kW Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 118A Kollektoráram...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39AC126V20 25230940
kezdő: HUF 158 427,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCD57090CDWR2G
kezdő: HUF 712,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A; SOT227B (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 84A Kollektoráram az impulzusban: 460A Teljesítmény ...
IXYS
IXYN100N120C3
kezdő: HUF 13 951,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090DDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOIC
onsemi
NCD57090DDWR2G
kezdő: HUF 494,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 98A Kollektoráram az impulzusban: 1kA Teljesítmény e...
IXYS
IXXN200N60C3H1
kezdő: HUF 16 678,00*
db-ként
 
 db
Infineon AIKQ120N60CTXKSA1 IGBT-modul N-csatornás, 2 V, 3-tüskés, PG-TO247-3 Egyszeres (1 ajánlat) 
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 2 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 5.7V Maximális teljesítménydisszipáció = 833 W Csomag típusa = PG-TO247-3 Csatorna típusa = N Tüskék száma = 3 T...
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
kezdő: HUF 106 296,1002*
30 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 56A Kollektoráram az impulzusban: 150A Teljesítmény ...
IXYS
IXA60IF1200NA
kezdő: HUF 8 936,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCV57090BDWR2G
kezdő: HUF 507,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 29A Kollektoráram az impulzusban: 1...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J
kezdő: HUF 14 670,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090EDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCD57090EDWR2G
kezdő: HUF 578,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 0,6kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 190A Kollektoráram az impulzusban: 800A Teljesítmény...
IXYS
IXGN400N60A3
kezdő: HUF 16 079,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57201DR2G, 1,9 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCPx57201 egy nagyfeszültségű kapu meghajtó, egy nem−-ban szigetelt alacsony oldali kapu meghajtó és egy galvanikusan leválasztott magas vagy alacsony oldali kapu meghajtó. Két I...
onsemi
NCD57201DR2G
kezdő: HUF 251,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 110A Kollektoráram az impulzusban: 470A Teljesítmény ...
IXYS
IXXN110N65C4H1
kezdő: HUF 9 407,00*
db-ként
 
 db
Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT-modul, 69 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 69 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 335 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
kezdő: HUF 11 808,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS4 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 600A Kollektoráram az impulzusban: 1,...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA125D 03071 21915710
kezdő: HUF 212 219,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   107   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.