Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 674 ajánlat 4 343 382 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
IGBT meghajtó modul NCD57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57080B nagy−áramerősségű egycsatornás IGBT kapu meghajtó 3.75 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára és meg...
onsemi
NCD57080BDR2G
kezdő: HUF 347,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 240A Teljesítmény ...
IXYS
IXGN50N120C3H1
kezdő: HUF 12 226,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090ADWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCV57090ADWR2G
kezdő: HUF 757,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 175...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GT120JU3
kezdő: HUF 14 863,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Leesési idő = 13ns
onsemi
NCD57090CDWR2G
kezdő: HUF 673,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 29A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 29A Kollektoráram az impulzusban: 1...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120J
kezdő: HUF 14 109,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57080BDR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57080B nagy−áramerősségű egycsatornás IGBT kapu meghajtó 3.75 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára és meg...
onsemi
NCV57080BDR2G
kezdő: HUF 355,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B (3 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 65A Kollektoráram az impulzusban: 150A Teljesítmény ...
IXYS
IXA70I1200NA
kezdő: HUF 1 037,90*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57085DR2G, 7 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 7 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57085DR2G
kezdő: HUF 260,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS4 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 600A Kollektoráram az impulzusban: 1,...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA125D 03071 21915710
kezdő: HUF 212 594,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090CDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 22V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCV57090CDWR2G
kezdő: HUF 674,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; buck chopper; Urmax: 1,7kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 248A Kollektoráram az impulzusban: 1170...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAR17E4 22895140
kezdő: HUF 48 905,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCD57090EDWR2G, 6,5 A, 20V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
Kimeneti áramerősség = 6,5 A Tápfeszültség = 20V Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SOICns
onsemi
NCD57090EDWR2G
kezdő: HUF 597,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Max ellenfeszültség: 1,7kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 160A Kollektoráram az impulzusban: 1,05kA Teljesítmé...
IXYS
IXGN200N170
kezdő: HUF 23 289,00*
db-ként
 
 db
IGBT meghajtó modul NCV57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NCD57090 egy−nagy áramerősségű egycsatornás IGBT/MOSFET kapu meghajtó 5 kVrms belső galvanikus leválasztással, amelyet nagy teljesítményű alkalmazások nagy rendszerhatékonyságára...
onsemi
NCV57090BDWR2G
kezdő: HUF 496,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   112   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.