Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (13 041 ajánlat 4 362 016 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...
ROHM Semiconductor
SCT3060AW7TL
kezdő: HUF 3 957,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 1kV; 42A; ISOTOP; csavarható; Idm: 260A (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: ISOTOP Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 42A Ellenállás vezetési állapotban: 0,2Ω Teljesítmény elosztás: 960W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT41F100J
kezdő: HUF 33 251,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPB017N08N5ATMA1
kezdő: HUF 958,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; -100V; -210A; SOT227B; csavarható (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: -100V Drén áram: -210A Ellenállás vezetési állapotban: 7,5mΩ Teljesítmény elo...
IXYS
IXTN210P10T
kezdő: HUF 14 480,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS2D Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 60V teljesítmény MOSFET használt 169 A leeresztő áram egyetlen N−csatorna. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket.Al...
onsemi
NTBGS2D5N06C
kezdő: HUF 1 718,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 200V; 160A; SOT227B; csavarható; 390W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 128ns Drén - forrás feszültség: 200V Drén áram: 160A Ellenállás vezetési állapotban: 6,2mΩ Teljesítmény elosz...
IXYS
IXFN220N20X3
kezdő: HUF 9 842,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP095N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTP095N65S3H
kezdő: HUF 1 615,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 1,2kV; 76A; SOT227B; csavarható; 500W (1 ajánlat) 
Gyártó: DACO Semiconductor Üzemi hőmérséklet: -55...150°C Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 76A Ellenállás vezetési állapotban: 25...
DACO Semiconductor
DACMI120N1200
kezdő: HUF 38 527,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1
kezdő: HUF 68,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 200V; 175A; ISOTOP; csavarható; 700W (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: ISOTOP Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 200V Drén áram: 175A Ellenállás vezetési állapotban: 11mΩ Teljesítmény elosztás: 700...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M11JVR
kezdő: HUF 26 829,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 180 A, 40 V, 5-tüskés, HSOF-5 IAUA Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon teljesítmény MOSFET autóipari alkalmazásokhoz használatos. Ez n csatorna MOSFET és 100 százalékos lavina tesztelt. N csatornás normál szintű MOSFET.RoHS-kompatibilis és AEC Q101 minősíté...
Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1
kezdő: HUF 457,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 1,1kV; 34A; SOT227B; csavarható; 890W (1 ajánlat) 
Figyelem! A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk. Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B F...
IXYS
IXFN40N110P
kezdő: HUF 13 235,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPP60R125CFD7XKSA1
kezdő: HUF 923,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 200V; 220A; SOT227B; csavarható; 1090W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: 200V Drén áram: 220A Ellenállás vezetési állapotban: 7,5mΩ Teljesítmény elosz...
IXYS
IXFN230N20T
kezdő: HUF 11 534,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTHL095N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTHL095N65S3H
kezdő: HUF 1 978,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   870   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.