Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (13 026 ajánlat 4 362 840 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,1kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 30A Kollektoráram az impulzusban: 90A Kikapcsolási i...
Infineon
IHW30N110R3FKSA1
kezdő: HUF 1 193,00*
db-ként
 
 db
Infineon BSZ042N06NS tranzisztor 60 V (2 ajánlat)
Infineon
BSZ042N06NSATMA1
kezdő: HUF 244,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 300V; 130A; ISOTOP; csavarható; 700W (1 ajánlat) 
Figyelem! A termék csak a raktárkészleten lévő mennyiségben vásárolható. Ettől nagyobb megrendelés esetén, a mennyiséget a rendelkezésre álló mennyiségre módosítjuk. Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) T...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M19JVFR
kezdő: HUF 29 331,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 360 A, 40 V, 7-tüskés, TO-263-7 StrongIRFET Si (1 ajánlat) 
Az Infineon legújabb, 40 V-os, erős IRFET teljesítmény MOSFET készülékei nagy áramra és alacsony RDS(ON)-ra egyaránt optimalizálva vannak, így ideális megoldást jelentenek a nagy áramerősségű akkum...
Infineon
IRF40SC240ARMA1
kezdő: HUF 867,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 800V; 60A; ISOTOP; csavarható; 960W (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: ISOTOP Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 800V Drén áram: 60A Ellenállás vezetési állapotban: 0,1Ω Teljesítmény elosztás: 960W...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M80J
kezdő: HUF 32 410,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 800V CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 800V CoolMOS™ P7 sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET. A 800 V-os CoolMOS™ P7 szuperjunkciósMOSFET-sorozat tökéletes választás az alacsony fogyasztású SMPS alkalmazásokhoz, mivel tel...
Infineon
IPP80R1K2P7XKSA1
kezdő: HUF 326,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 70V; 340A; SOT227B; csavarható; 700W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: 70V Drén áram: 340A Ellenállás vezetési állapotban: 4mΩ Teljesítmény elosztás...
IXYS
IXFN340N07
kezdő: HUF 15 941,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPA50R950CE tranzisztor 500 V (2 ajánlat)
Infineon
IPA50R950CEXKSA2
kezdő: HUF 156,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Kollektoráram: 11A Tranzisztor típusa: IGBT Teljesítmény elosztás: 60W Fajta csomagolás: tubus
Infineon
IRG4PH20KPBF
kezdő: HUF 675,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor MOSFET vadonatúj−, nagyfeszültségű szuper−junction MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú ellenálláshoz és az als...
onsemi
NTP082N65S3HF
kezdő: HUF 1 495,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 300V; 80A; SOT227B; csavarható; 735W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 485ns Drén - forrás feszültség: 300V Drén áram: 80A Ellenállás vezetési állapotban: 38mΩ Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXTN80N30L2
kezdő: HUF 10 499,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP067N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTP067N65S3H
kezdő: HUF 2 037,00*
db-ként
 
 db
Modul; tranzisztor/tranzisztor; 1,2kV; 110A; HB9434; csavarható (1 ajánlat) 
Gyártó: DACO Semiconductor Üzemi hőmérséklet: -55...150°C Tokozás: HB9434 Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 110A Ellenállás vezetési állapotban...
DACO Semiconductor
DACMH160N1200
kezdő: HUF 104 884,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si (1 ajánlat) 
A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 587,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 800V; 44A; SOT227B; csavarható; 380W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 800ns Drén - forrás feszültség: 800V Drén áram: 44A Ellenállás vezetési állapotban: 74mΩ Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXKN45N80C
kezdő: HUF 17 620,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   869   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.