Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (13 026 ajánlat 4 353 861 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat használják a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. További jellemzői a design 175 ° C csomópont üzemi hő...
Infineon
AUIRFS8407TRL
kezdő: HUF 595 088,20*
800 db-ként
 
 csomag
Modul; szimpla tranzisztor; 500V; 82A; SOT227B; csavarható; 960W (2 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 250ns Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 82A Ellenállás vezetési állapotban: 49mΩ Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXFN100N50Q3
kezdő: HUF 17 777,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 30 V, 8-tüskés, DFN NTMFS0D8N Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 337 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Javítja a pillanatnyi felügyeletet és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x...
onsemi
NTMFS0D8N03CT1G
kezdő: HUF 710,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 200V; 180A; SOT227B; csavarható; 560W (1 ajánlat) 
Gyártó: DACO Semiconductor Üzemi hőmérséklet: -55...150°C Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 200V Drén áram: 180A Ellenállás vezetési állapotban: 7,...
DACO Semiconductor
DAMI220N200
kezdő: HUF 11 052,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPA60R1K5CE tranzisztor 650 V (1 ajánlat)
Infineon
IPA60R1K5CEXKSA1
kezdő: HUF 8 211,90*
50 db-ként
 
 csomag
Modul; szimpla tranzisztor; 75V; 225A; SOT227B; csavarható; 735W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 206ns Drén - forrás feszültség: 75V Drén áram: 225A Ellenállás vezetési állapotban: 7mΩ Teljesítmény elosztás...
IXYS
IXTN240N075L2
kezdő: HUF 17 166,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) 800V CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat) 
A Infineon 800V Cool MOS™ P7 Super junction MOSFET sorozat tökéletes választás az alacsony fogyasztású SMPS alkalmazásokhoz, mivel teljes mértékben kielégíti a piaci igényeket a teljesítmény, az eg...
Infineon
IPD80R2K0P7ATMA1
kezdő: HUF 156,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 1kV; 44A; SOT227B; csavarható; 830W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 260ns Drén - forrás feszültség: 1kV Drén áram: 44A Ellenállás vezetési állapotban: 0,125Ω Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXFN52N100X
kezdő: HUF 15 396,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 267 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS1D Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 60V-os teljesítmény MOSFET 267A leeresztő áram egyetlen N−csatorna. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket.Alacsony ...
onsemi
NTBGS1D5N06C
kezdő: HUF 1 700,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 600V; 40A; SOT227B; csavarható; 290W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 650ns Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 40A Ellenállás vezetési állapotban: 70mΩ Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXKN40N60C
kezdő: HUF 11 420,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 342 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 60V-os teljesítmény MOSFET 342A leeresztő áram egy N−csatorna. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket.Alacsony RDS(b...
onsemi
NTBGS001N06C
kezdő: HUF 3 455,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 250V; 90A; SOT227B; csavarható; 735W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 266ns Drén - forrás feszültség: 250V Drén áram: 90A Ellenállás vezetési állapotban: 36mΩ Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXTN90N25L2
kezdő: HUF 15 944,00*
db-ként
 
 db
Infineon IRFTS9342 tranzisztor 55 V (2 ajánlat)
Infineon
IRFTS9342TRPBF
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 850V; 65A; SOT227B; csavarható; 830W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 250ns Drén - forrás feszültség: 850V Drén áram: 65A Ellenállás vezetési állapotban: 65mΩ Teljesítmény elosztá...
IXYS
IXFN66N85X
kezdő: HUF 12 678,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 80 V, 4-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-je a „fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”;. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A...
Infineon
IRFH8311TRPBF
kezdő: HUF 246,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   869   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.